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电光强度调制器
产品型号HC-AM
产品详情
参数

产品介绍

HC-AM系列电光强度调制器利用铌酸锂晶体的电光效应采用推挽式马赫曾德干涉结构实现对光信号的强度调制,具有低插入损耗、高调制带宽、高消光比、低半波电压、高损伤光功率等特点,主要用于高速光通信系统中电光信号转换,光边带的产生,量子通信中的高消光比光脉冲产生以及微波光纤链路等领域。


产品特点

多个工作波长

低半波电压

高带宽

低插入损耗

 

应用范围

高速光纤通信系统

微波光纤链路

量子通信


原理框图


BD2[HR[TT7ER0~98E_XF(`M.png



技术参数

参数

符号

AM-08

AM-10

AM-15-10

AM-15-20

AM-15-40

工作波长

l

770~880nm

1064±60

1550±100nm

波导工艺

钛扩散或质子交换APE

插入损耗

IL

<3 dB

<3 dB

<4 dB

<4 dB

<4 dB

光回波损耗

ORL

-40 dB

-45 dB

-45dB

-45dB

-45dB

工作带宽(-3dB)-RF

高频

S21

>10GHz

>10GHz-

>10GHz

>20GHz

>28GHz

低频

<10MHz

上升时间10%~90%

tr

35ps

35ps

35ps

18ps

11ps

半波电压@50KHz, RF

4V

4V

4V

4.5V

4V

半波电压@Bias

6V

6V

5V

5V

5V

消光比

ER

>20dB

>20dB

>20dB,典型25dB

输入阻抗

ZRF

50W@RF, 1MW@Bias

电接口


2.92mm(f)

1.85mm(f)

电回波损耗

S11

<-10dB

输入光纤


PM780

PM980

PM1550 Panda 慢轴对准

输出光纤


PM780

PM980

PM1550 Panda 慢轴对准

光纤接口


FC/APC 或客户指定

工作温度

Top

-20~70°C

存储温度

Tst

-40~80°C

电信号输入功率-RF

Pi

<27dBm

电压输入范围-BIAS

Vi

±15V

最大输入光功率

Po

20mW

100mW

50mW(钛扩散),200mW(质子交换APE)


 特性曲线


CF2U9@LDTL4OI(JAP$P`809.png


机械尺寸(单位:mm)


7]KF2FQY~CPGLOTSW(WK)5S.png


   订购信息  HC-PD-WL-BW-PP

WL—工作波长:15-1550nm, 10-1064nm, 08-800nm

 

BW—工作带宽:10G , 20G , 40G

 

PP—输入输出光纤:PP---PM/PM  PS---PM/SM